具体思路是在低温生长的非结晶状态的gan膜之上，在高温条件下生长出gan单晶膜。只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶gan膜相同的构造。

按照这个思路，中村进行了尝试。

结果嘛，一次成功！

这种方法的核心，是采用了低温 gan 缓冲层500 c左右替代了an缓冲层。这一基于低温gan缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长gan基ed的标准工艺。

当然了，做出这步改良的理由，也是异常奇怪。中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用！

这种“二”的说话方式，成永兴也用过！

不就是强词夺理嘛！

谁不会啊！

你有种！

别人对的方法，你也别用！

第四关，退火工艺。

ed从本质上说是一个二极管，二极管的核心结构是半导体 pn 结。pn 结是由 n 型半导体内部含有大量自由电子和 p 型半导体内部含有大量带正电的自由载流子空穴组成的界面。

对 gan 而言，n型掺杂比较容易实现，但 p 型掺杂却十分困难。在 gan 中经常使用的 p 型掺杂剂是或者 mg，但是掺入这些杂质后，gan 往往仍体现高阻特性，这意味着 p 型掺杂剂并没有被激活，没有起作用。

这个问题曾困惑了科学界很久，最后也是被天野浩解决的。解决方法是用低能电子束辐照方法来获得pgan。

这个方法的发现，天野浩也是耗时很久。他从86年起就一直在尝试，直到89年，才突然碰运气得到。

在这个步骤上，中村大侠的“二”病再此发作！

他再次推翻了前面科学家的研究成果，改为加热！

这也就是所谓退火工艺的由来。

根据中村自己的解释，他是在非常偶然情况下，得到了这个意外结果。

在重复电子束照射实验前，他不小心把工作台给加热了！于是，他就发现，在电子束辐照过程中，在样品下面加热可以获得更好的结果。

对此现象，他又继续研究，进而确认，仅仅依靠加热就可以获得pgan。而退火工艺的原理，中村大侠并没有给出合理的解释。

从此，热退火就成为了制作蓝光ed的标准工艺，沿用至今。

当然了，事情是否真偶然，谁也不知道。

讲故事谁不会？

...

退火工艺的背后原理，在很久以后才被人揭示。

pgan 中的会被mocvd 外延过程中引入的 h 钝化，形成 mgh络合物。无论是低能电子辐照还是热退火，都是通过借助外部能量破坏 mgh 键而激活杂质。

这两个工艺步骤的实现，足以说明中村的逆天运气！

前人耗时五六年的成果，他在很短的时间内，全部推翻，而且找到了更好的方式！

而他发现的这些工艺步骤，即使在三十年后，也无人能改！

有没有这么一种可能：

这些工艺，之所以无人能改，因为它们实际就是三十年后的成熟工艺！但被提前拿到了1990年！